SIA477EDJT-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
2490975 Pieces
參考價
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規格 SIA477EDJT-T1-GE3
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
SIA477EDJT-T1-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
系列 :
TrenchFET® Gen III
零件狀態 :
Active
FET型 :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
12V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
12A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
1.8V, 4.5V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
13 mOhm @ 5A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 :
1V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
50nC @ 4.5V
VGS（最大） :
±8V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
3050pF @ 6V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
19W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
PowerPAK® SC-70-6 Single
封裝/箱體 :
PowerPAK® SC-70-6
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 SIA477EDJT-T1-GE3
數據表 :
SIA477EDJT-T1-GE3.pdf
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