DMN2005UFG-13 - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
1704600 Pieces
參考價
USD 0.164592
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規格 DMN2005UFG-13

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : DMN2005UFG-13
製造商 : Diodes Incorporated
描述 : MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
系列 : -
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 20V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 18.1A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)標識 : 1.2V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 164nC @ 10V
VGS(最大) : ±12V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 6495pF @ 10V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 1.05W (Ta)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : PowerDI3333-8
封裝/箱體 : 8-PowerWDFN
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : DMN2 , DMN200

的文件 DMN2005UFG-13

數據表 : DMN2005UFG-13.pdf

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