SIS410DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
929650 Pieces
參考價
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規格 SIS410DN-T1-GE3
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
SIS410DN-T1-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
系列 :
TrenchFET®
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
20V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
35A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.5V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
41nC @ 10V
VGS（最大） :
±20V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
1600pF @ 10V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
PowerPAK® 1212-8
封裝/箱體 :
PowerPAK® 1212-8
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 SIS410DN-T1-GE3
數據表 :
SIS410DN-T1-GE3.pdf
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