SI7792DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

製造商零件編號

SI7792DP-T1-GE3

內部零件號

AX-SI7792DP-T1-GE3

製造商

Vishay Siliconix

簡要描述;簡介

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

67675 Pieces

參考價

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規格 SI7792DP-T1-GE3

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : SI7792DP-T1-GE3

製造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

系列 : SkyFET®, TrenchFET® Gen III

零件狀態 : Obsolete

FET型 : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓（Vdss） : 30V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 40.6A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 2.1 mOhm @ 20A, 10V

VGS（TH）（最大）標識 : 2.5V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 135nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 4.735nF @ 15V

FET特點 : Schottky Diode (Body)

功率耗散（最大） : 6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

供應商設備封裝 : PowerPAK® SO-8

封裝/箱體 : PowerPAK® SO-8

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : SI779 , SI7792D

的文件 SI7792DP-T1-GE3

數據表 : SI7792DP-T1-GE3.pdf

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零件號	牌	描述
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