SIZF300DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
831890 Pieces
參考價
USD 0.33726
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規格 SIZF300DT-T1-GE3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SIZF300DT-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
系列 : TrenchFET® Gen IV
零件狀態 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特點 : Standard
漏極至源極電壓(Vdss) : 30V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.2V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
功率 - 最大 : 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-PowerWDFN
供應商設備封裝 : 8-PowerPair® (6x5)
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SIZF3 , SIZF300D

的文件 SIZF300DT-T1-GE3

數據表 : SIZF300DT-T1-GE3.pdf

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